在探讨半导体材料的世界里，我们常常面临如何提升其性能的极限挑战，而“跳高”这一运动，恰似半导体材料性能提升的生动隐喻，当我们思考如何让半导体材料在电学、光学或热学性能上实现“飞跃”，就如同运动员在跳高比赛中力求突破新的高度。
一个关键问题是：如何在不增加材料体积和重量的前提下，实现其载流子迁移率、开关速度或能隙等关键性能指标的显著提升？这就像是在有限的“起跑”空间内，让运动员爆发出最大的“跳跃”力量。
答案在于材料的微观结构设计与调控，通过精确控制材料的晶格结构、缺陷密度和界面特性，我们可以像调整运动员的肌肉纤维和关节灵活性一样，优化其性能，采用应变工程、缺陷工程或二维材料堆叠等方法，可以有效地“拉伸”或“调整”材料的性能参数，从而实现类似于跳高运动员在空中的“飞跃”。
半导体材料的“跳高”之旅，不仅是科技进步的象征，也是对自然规律不断探索和挑战的体现，每一次性能的飞跃，都可能开启新的技术革命，推动人类社会向更高层次迈进。
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跳高运动员挑战身体极限，半导体材料突破技术壁垒——共同飞跃性能的未知边界。
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