在半导体材料的研发与应用中，金属链的引入往往被视为一个双刃剑，金属链的引入可以提供额外的电子通道，降低电阻，提高材料的导电性能；它们也可能成为电子散射的中心，导致载流子迁移率下降，影响器件的性能和稳定性。
具体而言，当金属链与半导体材料形成接触时，其表面的粗糙度和缺陷状态对界面处的能级排列和电子传输有显著影响，理想的金属链应能形成欧姆接触，即电阻小、无整流效应的接触，这有助于减少界面处的能量损失和载流子散射，实际情况下，金属链的引入往往伴随着界面态的增加和能级的不连续，这可能导致载流子在传输过程中被散射，从而降低器件的电流-电压特性和开关速度。
如何在保持金属链对半导体材料导电性增益的同时，减少其对载流子的散射效应，是当前半导体材料研究中的一个重要课题。
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金属链在半导体中，既是增强的桥梁也是抑制的壁垒。
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