在半导体材料的研究中，分子物理学为我们揭示了其独特的电学性能背后的奥秘，载流子的传输机制是关键因素之一，分子物理学告诉我们，半导体中的载流子（如电子和空穴）在晶格间跳跃时，会受到晶格势场、杂质和缺陷等的影响，这些因素不仅决定了载流子的迁移率，还影响了其复合速率和寿命。
当载流子在晶格中移动时，它们会与晶格原子发生相互作用，这种相互作用会使得载流子散射，从而降低其迁移率，半导体中的杂质和缺陷也会成为载流子的陷阱，捕获它们并限制其自由移动，这些陷阱的存在不仅减少了载流子的数量，还影响了它们的复合速率和寿命，进而影响半导体的电导率、电容和电阻等电学性能。
从分子物理学的角度来看，优化半导体材料的电学性能需要从减少晶格散射、降低杂质和缺陷的浓度等方面入手，这些努力将有助于提高载流子的迁移率和寿命，从而提升半导体的整体性能。
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在分子物理学视角下，半导体材料中载流子的传输机制直接决定了其导电性、电阻率等关键电学性能。
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